Transistor

The invention of the transistor, which is one of the most important achievements of the 20th century ^[5] , was the result of the long development of semiconductor electronics, which began in 1833, when Michael Faraday conducted the first experiments with a semiconductor material - silver sulfide .

In 1874, the German physicist Karl Ferdinand Brown first discovered the phenomenon of one-sided conductivity of a metal-semiconductor contact.

In 1906, engineer Greenleaf Witter Piccard invented a point semiconductor diode detector.

In 1910, the English physicist William Eccles discovered the ability to generate electrical oscillations in some semiconductor diodes, and the engineer Oleg Losev in 1922 independently developed diodes with negative differential resistance at certain bias voltages, with the help of which they first successfully used the amplifying and generating properties of semiconductors ( Kristadiny effect ), in detector and heterodyne radios of their own design.

A feature of this development period was that the physics of semiconductors was still poorly studied, all achievements were the result of experiments, scientists were at a loss to explain what is happening inside the crystal, often putting forward erroneous hypotheses.

At the same time, at the turn of 1920-1930, the era of rapid industrial development of electronic lamps began in radio engineering, the physics of which was studied, and the bulk of radio scientists worked in this direction, while fragile and capricious semiconductor detectors of an open design, in which it was necessary to manually search for “active points” on the crystal with a metal needle, they became the lot of single handicraftsmen and ham enthusiasts who built simple radio sets on them. No one has seen the potential prospects of semiconductors.

The creation of bipolar and field effect transistors has occurred in different ways.

Field effect transistor

The first step in creating a field effect transistor was made by the Austro-Hungarian physicist Julius Edgar Lilienfeld , who proposed a method for controlling the current in a sample by applying a transverse electric field to it, which, acting on charge carriers, will control the conductivity. Patents were obtained in Canada ( October 22, 1925 ) and Germany ( 1928 ) ^{[6] [7]} .

In 1934, the German physicist Oscar Hyle in the UK he also patented a “proximity switch” based on a similar principle. However, despite the fact that field-effect transistors are based on a simple electrostatic field effect and the physical processes taking place in them are simpler than bipolar ones, it has not been possible to create a workable sample of a field-effect transistor for a long time.

The creators could not get around the phenomena unknown at that time in the surface layer of the semiconductor, which did not allow controlling the electric field inside the crystal for transistors of this type (MIS transistor - metal, dielectric, semiconductor). A workable field effect transistor was created after the opening of the bipolar transistor. In 1952, William Shockley theoretically described a different type of field-effect transistor model, the current modulation in which, unlike the previously proposed MIS ^[8] structures, was carried out by changing the thickness of the conducting channel due to the expansion or narrowing of the depletion region adjacent to the pn junction channel . This happened when the control voltage of the gate polarity of the gate diode was applied to the transition. The transistor was called "field-effect transistor with a pn junction control" (surface effects interfering with the work were eliminated, since the conducting channel was inside the crystal).

The first field-effect MOSFET, which was patented back in the 1920s and now forms the basis of the computer industry, was first created in 1960 after the work of the Americans Kang and Atalla, who proposed, as a layer of a gate dielectric, to form on the surface of a silicon crystal using oxidation of the silicon surface the thinnest a layer of silicon dioxide insulating the metal gate from the conducting channel, this structure is called the MOS structure (Metal-Oxide-Semiconductor).

In the 90s of the XX century, MOS technology began to dominate the bipolar ^[9]

Bipolar Transistor

Unlike the field one, the first bipolar transistor was created experimentally, and its physical principle of operation was explained later.

In 1929-1933, at LFTI , Oleg Losev , led by A.F. Ioffe, conducted a series of experiments with a semiconductor device constructively repeating a point transistor on a carborundum (SiC) crystal, but it was not possible to obtain a sufficient gain then. Studying the phenomena of electroluminescence in semiconductors, Losev investigated about 90 different materials, especially silicon, and in 1939 he again mentioned the work on three-electrode systems in his notes, but the outbreak of war and the death of an engineer in besieged Leningrad in the winter of 1942 led to the fact that some of his works were lost and it is not known how far he has come in creating the transistor. In the early 1930s, three-electrode point amplifiers were also manufactured by Larry Kaiser of Canada and Robert Adams of New Zealand, but their work was not patented and did not undergo scientific analysis ^[5] .

The success was achieved by the experimental design department of Bell Telephone Laboratories of American Telephone and Telegraph , since 1936, a group of scientists specially focused on the creation of solid-state amplifiers worked in it, under the leadership of Joseph Becker. Until 1941, it was not possible to manufacture a semiconductor amplifier device (attempts were made to create a prototype field-effect transistor). After the war, in 1945, research was resumed under the guidance of theoretical physicist William Shockley , after another 2 years of failure, on December 16, 1947, the researcher Walter Brattain , trying to overcome the surface effect in a germanium crystal and experimenting with two needle electrodes, mixed up the polarity of the applied voltage and unexpectedly received a steady signal gain. A subsequent study of the discovery, together with theorist John Bardin, showed that there is no field effect, processes that have not yet been studied in the crystal, it was not a field, but a previously unknown bipolar transistor . On December 23, 1947, a presentation of the current product model was held to the leadership of the company, this date was considered the birth date of the transistor. Having learned about the success, William Shockley, who has already retired from business, rejoins the research and in a short time creates the theory of a bipolar transistor, in which he has already outlined the replacement of the point manufacturing technology with a more promising, planar one.

Initially, the new device was called a “germanium triode” or “semiconductor triode”, by analogy with a vacuum triode - an electronic lamp of a similar structure, in May 1948 a competition was held in the laboratory for the original name of the invention, in which John Pierce won, who proposed the word "transistor", formed by combining the terms "transconductance" (active interelectrode conductivity) and "variable resistor" or "varistor" (variable resistance, varistor) or, according to other versions, from the words "transfer" - transfer and "resist" - resistance.

On June 30, 1948, the official presentation of the new device took place at the company’s headquarters in New York; a radio receiver was assembled on transistors. And yet, the world sensation did not take place, the initial discovery was not appreciated, because the first point transistors, in comparison with electron tubes, had very poor and unstable characteristics.

In 1956, William Shockley ( en: William Shockley ), Walter Brattain ( en: Walter Houser Brattain ) and John Bardin ( en: John Bardeen ) were awarded the Nobel Prize in Physics "for the study of semiconductors and the discovery of the transistor effect" ^[10] . Interestingly, John Bardin was soon awarded the Nobel Prize a second time for creating the theory of superconductivity .

Creating a Bipolar Transistor in Europe

In parallel with the work of American scientists in Europe, the bipolar transistor was created by experimental physicist Herbert Mataré and theorist Heinrich Welker. In 1944, Herbert Mathare, working at Telefunken , developed a semiconductor “duodiode” (double diode), which was structurally similar to the future point bipolar transistor. The device was used as a mixer in radar technology, as two, close in parameters, rectifier point diodes made on a single germanium crystal. At the same time, Matare first discovered the influence of the current of one diode on the parameters of another and began research in this direction. After the war, Herbert Mathare, in Paris, met with Johann Welker, where both physicists, working in a branch of the American corporation Westinghouse Electric , continued to experiment on the diode in an initiative manner. In early June 1948, not yet aware of the results of the Shockley group research at Bell Labs, they created a stably working bipolar transistor based on the duodiode, which was called the “transitron", however, the patent application for the invention, sent in August 1948, was considered by the French the patent office took a very long time and only in 1952 a patent for an invention was obtained. Transitrons serially produced by Westinghouse, despite the fact that they successfully competed with transistors in quality, were also unable to conquer the market and soon stopped work in this direction ^[5] .

Transistor Technology Development

Despite their small size and efficiency, the first transistors were distinguished by a high level of noise, low power, instability of characteristics over time and a strong dependence of parameters on temperature. The point transistor, not being a monolithic design, was sensitive to shocks and vibrations. The creator of Bell Telephone Laboratories did not appreciate the prospects of the new device, profitable military orders were not expected, and the license for the invention soon began to be sold to everyone for $ 25,000. In 1951, a planar transistor was created, which is structurally a monolithic crystal of a semiconductor, and at about the same time the first silicon-based transistors appeared. Characteristics of transistors improved rapidly and soon they began to actively compete with electronic radio tubes.

Later, transistors replaced vacuum tubes in most electronic devices, revolutionizing the creation of integrated circuits and computers . At the beginning of the 21st century, the transistor became one of the most mass products manufactured by mankind. In 2013, about 15 billion transistors were produced for each inhabitant of the Earth (most of them are part of integrated circuits) ^[11] .

With the advent of integrated circuits, the struggle began to reduce the size of an elementary transistor. In 2012, the smallest transistors contained a few atoms of matter ^[12] . Transistors have become a major part of computers and other digital devices. In some designs of processors, their number exceeded a billion pieces.

The following is a formal classification of transistors, where the current is generated by the flow of charge carriers, and the states between which the device switches are determined by the magnitude of the signal: small signal - large signal, closed state - open state, which implements the binary logic of the transistor. Modern technology can operate not only with an electric charge, but also with magnetic moments, the spin of an individual electron, phonons and light quanta, and quantum states in the general case.

For basic semiconductor material

In addition to the main semiconductor material , which is usually used in the form of a single crystal doped in some parts, the transistor contains in its design metal terminals, insulating elements, and a housing (plastic, metal-glass or ceramic-metal). Sometimes combined names are used that partially describe technological varieties (for example, “silicon on sapphire” or “metal-oxide-semiconductor”). However, the main classification indicates the semiconductor material used - silicon , germanium , gallium arsenide , etc.

Other materials for transistors have not been used until recently. Currently, there are transistors based, for example, on transparent semiconductors for use in display arrays. A promising material for transistors is semiconductor polymers. There are also separate reports on transistors based on carbon nanotubes ^[13] , on graphene field effect transistors .

By structure

Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры.

• Биполярные
  • npn структуры, «обратной проводимости».
  • pnp структуры, «прямой проводимости».

В биполярном транзисторе носители заряда движутся от эмиттера через тонкую базу к коллектору. База отделена от эмиттера и коллектора pn переходами . Ток протекает через транзистор лишь тогда, когда носители заряда инжектируются из эмиттера в базу через pn переход. В базе они являются неосновными носителями заряда и легко захватываются другим pn переходом между базой и коллектором, ускоряясь при этом. В базовом слое носители заряда распространяются за счёт диффузионного механизма, если нет градиента легирующей примеси в слое базы, или по действием электрического поля при неравномерном легировании базы, для повышения быстродействия прибора толщина базового слоя должна быть как можно тоньше, но чрезмерное снижение толщины базы вызывает снижение предельно допустимого напряжения коллектора. Управление током между эмиттером и коллектором осуществляется изменением напряжения между базой и эмиттером, от которого зависят условия инжекции носителей заряда в базу и ток базы.

• Полевые
  • с pn переходом.
  • с изолированным затвором — МДП-транзистор .

В полевом транзисторе ток протекает от истока к стоку через канал под затвором. Канал существует в легированном полупроводнике в промежутке между затвором и нелегированной подложкой , в которой нет носителей заряда, и она не может проводить ток. Преимущественно под затвором существует область обеднения, в которой тоже нет носителей заряда благодаря образованию между легированным полупроводником и металлическим затвором контакта Шоттки. Таким образом ширина канала ограничена пространством между подложкой и областью обеднения. Приложенное к затвору напряжение увеличивает или уменьшает ширину области обеднения и, тем самым, площадь поперечного сечения канала, управляя током стока и равного ему током истока.

Другие разновидности транзисторов

• Однопереходные транзисторы .
• Многоэмиттерные транзисторы (применяются в транзисторно-транзисторной логике для построения логических элементов И-НЕ) ^{[14] [15]} .
• Баллистические транзисторы .
• Одномолекулярный транзистор ^[16] .
• Фототранзисторы .

Составные транзисторы

• Транзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors ( RET s)) — биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.
• Транзистор Дарлингтона, пара Шиклаи — комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току.
  • на транзисторах одной структуры;
  • на транзисторах разной структуры.
• Лямбда-диод — двухполюсник, сочетание из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
• Биполярный транзистор, управляемый полевым транзистором с изолированным затвором (IGBT) — силовой электронный прибор, предназначенный, в основном, для управления электрическими приводами .

По мощности

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:

• маломощные транзисторы до 100 мВт ;
• транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт;
• мощные транзисторы (больше 1 Вт).

По исполнению

• дискретные транзисторы;
  • корпусные
    • для свободного монтажа
    • для установки на радиатор
    • для автоматизированных систем пайки
  • бескорпусные
• транзисторы в составе интегральных схем.

По материалу и конструкции корпуса

• В металлостеклянном/металлокерамическом корпусе .

Материал корпуса — металл. Материал изоляторов, через которые проходят выводы — стекло, либо керамика. Имеют наибольший диапазон температур окружающей среды и максимальную защищённость от воздействия внешних факторов.

• В пластмассовом корпусе .

Отличаются меньшей стоимостью и более мягкими допустимыми условиями эксплуатации. У мощных приборов в пластмассовом корпусе кроме выводов часто имеется металлический теплоотвод — кристаллодержатель для монтажа прибора на внешний радиатор.

Прочие типы

• Одноэлектронные транзисторы содержат квантовую точку (т. н. «остров») между двумя туннельными переходами. Ток туннелирования управляется напряжением на затворе, связанном с ним ёмкостной связью ^[17] .
• Биотранзистор .

Транзисторы BISS (Breakthrough in Small Signal, дословно — «прорыв в малом сигнале») — биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Существенное улучшение параметров транзисторов BISS достигнуто за счёт изменения конструкции зоны эмиттера. Первые разработки этого класса устройств также носили наименование «микротоковые приборы».

Транзисторы со встроенными резисторами RET (Resistor-equipped transistors) — биполярные транзисторы со встроенными в один корпус с кристаллом резисторами. RET — это транзистор общего назначения со встроенным одним или двумя резисторами. Такая конструкция транзистора позволяет сократить количество внешних навесных компонентов и минимизирует необходимую площадь монтажа. RET транзисторы применяются для непосредственного подключения к выходам микросхем без использования токоограничивающих резисторов.

Применение гетеропереходов позволяет создавать высокоскоростные и высокочастотные полевые транзисторы, такие как например, HEMT .

Для включения в схему транзистор должен иметь четыре вывода — два входных и два выходных. Но транзисторы почти всех разновидностей имеют только три вывода. Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов назначить общим, и, поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три основные схемы включения транзистора:

Схемы включения биполярного транзистора

• с общим эмиттером (ОЭ) — осуществляет усиление как по току, так и по напряжению — наиболее часто применяемая схема;
• с общим коллектором (ОК) — осуществляет усиление только по току — применяется для согласования высокоимпедансных источников сигнала с низкоомными сопротивлениями нагрузок;
• с общей базой (ОБ) — усиление только по напряжению, в силу своих недостатков в однотранзисторных каскадах усиления применяется редко (в основном в усилителях СВЧ ), обычно в составных схемах (например, каскодных ).

Схемы включения полевого транзистора

Полевые транзисторы, как с pn переходом (канальные), так и МОП (МДП) имеют следующие схемы включения:

• с общим истоком (ОИ) — аналог ОЭ биполярного транзистора;
• с общим стоком (ОС) — аналог ОК биполярного транзистора;
• с общим затвором (ОЗ) — аналог ОБ биполярного транзистора.

Схемы с открытым коллектором (стоком)

«Открытым коллектором (стоком)» называют включение транзистора по схеме с общим эмиттером (истоком) в составе электронного модуля или микросхемы , когда коллекторный (стоковый) вывод не соединяется с другими элементами модуля (микросхемы), а непосредственно выводится наружу (на разъем модуля или вывод микросхемы). Выбор нагрузки транзистора и тока коллектора (стока) при этом оставляется за разработчиком конечной схемы, в составе которой применяются модуль или микросхема. В частности, нагрузка такого транзистора может быть подключена к источнику питания с более высоким или низким напряжением , чем напряжение питания модуля/микросхемы. Такой подход значительно расширяет рамки применимости модуля или микросхемы за счет небольшого усложнения конечной схемы. Транзисторы с открытым коллектором (стоком) применяются в логических элементах ТТЛ , микросхемах с мощными ключевыми выходными каскадами, преобразователях уровней , шинных формирователях (драйверах) и т. п.

Статья с подробным описанием принципа (в англоязычном разделе).

Реже применяется обратное включение — с открытым эмиттером (истоком). Оно также позволяет выбирать нагрузку транзистора изменением внешних компонентов, подавать на эмиттер/сток напряжение полярности, противоположной напряжению питания основной схемы (например, отрицательное напряжение для схем с биполярными транзисторами npn или N-канальными полевыми), и т. п.

Вне зависимости от типа транзистора, принцип применения его един:

• Источник питания питает электрической энергией нагрузку, которой может быть громкоговоритель , реле , лампа накаливания , вход другого, более мощного транзистора, электронной лампы и т. п. Именно источник питания даёт нужную мощность для «раскачки» нагрузки.
• Транзистор же используется для ограничения силы тока, поступающего в нагрузку, и включается в разрыв между источником питания и нагрузкой. То есть транзистор представляет собой некий вариант полупроводникового резистора, сопротивление которого можно очень быстро изменять.
• Выходное сопротивление транзистора меняется в зависимости от напряжения на управляющем электроде. Важно то, что это напряжение, а также сила тока, потребляемая входной цепью транзистора, гораздо меньше напряжения и силы тока в выходной цепи.

Надо заметить, что это положение не всегда верно: так в схеме с общим коллектором (ОК) ток на выходе в β раз больше, чем на входе, напряжение же на выходе несколько ниже входного; в схеме с общей базой увеличивается напряжение на выходе по сравнению с входом, но выходной ток немного меньше входного. Таким образом, в схеме ОК происходит усиление только по току, а в схеме ОБ — только по напряжению. За счёт контролируемого управления источником питания достигается усиление сигнала либо по току, либо по напряжению либо по мощности (схемы с общим эмиттером — ОЭ).

• Если мощности входного сигнала недостаточно для «раскачки» входной цепи применяемого транзистора, или конкретный транзистор не даёт нужного усиления, применяют каскадное включение транзисторов, когда более чувствительный и менее мощный транзистор управляет энергией источника питания на входе более мощного транзистора. Также подключение выхода одного транзистора ко входу другого может использоваться в генераторных схемах типа мультивибратора . В этом случае применяются одинаковые по мощности транзисторы.

Транзистор применяется в:

• Усилительных схемах. Работает, как правило, в усилительном режиме ^{[18] [19]} .

Существуют экспериментальные разработки полностью цифровых усилителей, на основе ЦАП, состоящих из мощных транзисторов ^{[20] [21]} . Транзисторы в таких усилителях работают в ключевом режиме.

• Генераторах сигналов. В зависимости от типа генератора транзистор может использоваться либо в ключевом (генерация прямоугольных сигналов), либо в линейном усилительном режиме (генерация сигналов произвольной формы).
• Электронных ключах. Транзисторы работают в ключевом режиме. Ключевые схемы можно условно назвать усилителями (регенераторами) цифровых сигналов. Иногда электронные ключи применяют и для управления силой тока в аналоговом виде. Это применяется, когда нагрузка обладает достаточно большой инерционностью, а напряжение и сила тока в ней регулируются не амплитудой, а шириной импульсов . На подобном принципе основаны бытовые диммеры для ламп накаливания и нагревательных приборов, а также импульсные источники питания , приводы электродвигателей.

Транзисторы применяются в качестве активных (усилительных) элементов в усилительных и переключательных каскадах .

Реле и тиристоры имеют больший коэффициент усиления по мощности, чем транзисторы, но работают только в ключевом (переключательном) режиме.

Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)-транзисторы. Международный термин — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 8 нм .

В настоящее время на одном современном кристалле площадью 1—2 см² могут разместиться несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура ). Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров, снижению энергопотребления и тепловыделения.

В настоящее время микропроцессоры Intel собираются на трёхмерных транзисторах (3d транзисторы), именуемых Tri-Gate. Эта революционная технология позволила существенно улучшить существующие характеристики процессоров. Отметим, что переход к 3D-транзисторам при технологическом процессе 22 нм позволил повысить производительность процессоров на 30 % (по оценкам Intel) и снизить энергопотребление . Примечательно, что затраты на производство возрастут всего на 2—3 %, то есть новые процессоры не будут значительно дороже старых . Суть этой технологии в том, что сквозь затвор транзистора проходит особый High-K диэлектрик, который снижает токи утечки.

До разработки транзисторов вакуумные (электронные) лампы (или просто «лампы») были основными активными компонентами электронного оборудования. По принципу управления наиболее родственен электронной лампе полевой транзистор, многие соотношения, описывающие работу ламп, пригодны и для описания работы полевых транзисторов. Многие схемы, разработанные для ламп, стали применяться для транзисторов и получили развитие, поскольку электронные лампы имеют только один тип проводимости — электронный, а транзисторы могут иметь как электронный, так и дырочный тип проводимости (эквивалент воображаемой «позитронной лампы»). Это привело к широкому использованию комплементарных схем (КМОП).

Преимущества

Основные преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников (вакуумные лампы) в большинстве электронных устройств:

• малые размеры и небольшой вес, что способствует развитию миниатюризации электронных устройств;
• высокая степень автоматизации и групповой характер операций на многих этапах технологического процесса изготовления , что ведёт к постоянному снижению удельной стоимости при массовом производстве;
• низкие рабочие напряжения, что позволяет использовать транзисторы в небольших по габаритам и энерговооруженности электронных устройствах с питанием от малогабаритных электрохимических источников тока;
• не требуется дополнительного времени на разогрев катода после включения, что позволяет достичь почти мгновенной готовности к работе транзисторных устройств сразу после подачи питания;
• малая, по сравнению с лампами, рассеиваемая мощность, в том числе из-за отсутствия разогрева катода, что способствует повышению энергоэффективности, облегчает отвод избыточного тепла и позволяет повышать компактность устройств;
• высокая надёжность и бо́льшая физическая прочность, стойкость к механическим ударам и вибрации, что позволяет избежать проблем при использовании устройств в условиях любых ударных и вибрационных нагрузок;
• очень продолжительный срок службы — некоторые транзисторные устройства находились в эксплуатации более 50 лет и при этом не потеряли своей работоспособности;
• возможность объединения множества элементов в едином миниатюрном конструктивном модуле позволяет значительно повысить степень интеграции и облегчает разработку комбинированных схем высокой сложности, что не представляется возможным с вакуумными лампами.

Недостатки (ограничения)

• Обычные кремниевые транзисторы не работают при напряжениях выше 1 кВ, вакуумные лампы могут работать с напряжениями на несколько порядков выше 1 кВ (для коммутации цепей с напряжением свыше 1 кВ разработаны IGBT транзисторы);
• Применение транзисторов в мощных радиовещательных и СВЧ передатчиках нередко оказывается технически и экономически нецелесообразным: требуется параллельное включение и согласование многих сравнительно маломощных усилителей. Мощные и сверхмощные генераторные лампы с воздушным или водяным охлаждением анода, а также магнетроны , клистроны , лампы бегущей волны (ЛБВ) обеспечивают лучшее соотношение частотных характеристик, мощностей и приемлемой стоимости.
• Транзисторы значительно более уязвимы, чем вакуумные лампы, к действию сильных электромагнитных импульсов, которые, в том числе, являются одним из поражающих факторов ядерного взрыва ;
• Sensitivity to radiation and the effects of cosmic radiation (special radiation-resistant microcircuits for electronic devices of spacecraft have been created).

• Krishtafovich A.K., Trifonyuk V.V. Fundamentals of industrial electronics. - 2nd ed. - M .: "Higher School", 1985. - 287 p.
• Ovsyannikov N.I. Silicon Bipolar Transistors: Ref. allowance. - Mn. : "Higher school", 1989. - 302 p. - ISBN 5-339-00211-X .

• An explanation of the operation of diodes and transistors by analogy with a water supply
• Transistor History at Bell Labs
• Illustrated description of the manufacturing process of the transistor
• Transistor. Theory. General concepts.
• Reference transistor parameters. With numerical data and appearance
• Transistors and their application ^{[ specify ]}